به گزارش روز سه شنبه گروه اخبار علمی ایرنا از پایگاه خبری ساینس دیلی، فناوری فعلی مورد استفاده برای ساخت ترانزیستورها شامل به کارگیری مواد نیمه رسانا برای انتقال الکترون ها است، اما این فناوری به مرزهای فیزیکی خود رسیده است و اکنون مواد نیمه رسانای مورد استفاده در آن ها مانع جریان الکتریکی می شوند. در نتیجه سرعت انتقال الکترون ها کاهش یافته و دمای تجهیزات الکترونیکی افزایش می یابد.
اما در فناوری جدید جریان الکتریکی از درون تونل های هوا عبور می کند و مواد نیمه رسانایی در این تونل ها وجود ندارد که موجب کاهش سرعت حرکت الکترون ها، ایجاد مقاومت الکتریکی و در نتیجه افزایش دما شود.
در طول دهه گذشته محققان توانسته اند به طور متوسط در هر دو سال راهکارهای جدیدی را برای افزایش تراکم ترانزیستورها درون تراشه های سیلیکونی بیابند و قدرت و کارآیی این تراشه های کامپیوتری در هر دو سال به میزان دو برابر افزایش یافته است. در نتیجه تراشه های امروزی بسیار متراکم و کوچک شده اند و به مرز فیزیکی این فناوری رسیده اند.
این فناوری جدید با استفاده از راهکاری متفاوت امکان کوچک سازی ترانزیستورها و حفظ این روند را حداقل برای چند دهه آینده فراهم می کند.

منبع